紫光组建存储芯片事业群，"台湾存储教父"任CEO

（原标题：紫光组建存储芯片事业群，“台湾存储教父”任CEO）

（观察者网讯）

紫光集团微信公众号“紫光集团”（ID：ziguangjituan）6月30日发布公告称，决定组建紫光集团DRAM事业群，全力加速发展国产内存。

根据通知，紫光集团委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。

从行业角度看，目前全球超过90%的DRAM市场份额集中在三星、海力士、美光这三家公司手里，国内DRAM制造厂商仅有两家（尚未大规模投产），此次紫光集团进击DRAM，或将对全球DRAM市场产生深远影响。

短期看，国内DRAM厂商可能无法撼动“三巨头”的地位，但假以时日，背靠广阔的中国市场和国产替代机遇，则有望打破寡头格局。

图片来自微信公众号”紫光集团”

目前，紫光集团正在DRAM内存、NAND闪存、SSD固态硬盘、移动处理器、5G基带等各种国产芯片上加速发力。

经过多年的发展，紫光集团在存储器的设计制造领域已形成一定基础，积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验。在DRAM领域，紫光集团旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品（ECC DRAM）。紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台，聚集了大量的三维闪存和DRAM的工艺研发人员，工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。

紫光表示，在DRAM内存芯片上，该公司已具备世界主流设计水平。现阶段，紫光的主流内存产品仍然是DDR3，紫光此前2018年曾表示DDR4内存芯片正在研发中，预计2018年底前完成，并推向市场。不过2018年底紫光表示不会年内推出，DDR4内存芯片仍在在研发中，预计2019年开始逐步推向市场、

公开资料显示，刁石京在ICT（信息、通讯与技术）领域拥有超过30年的行业工作经验，曾先后担任国家工业和信息化部电子信息司司长、国务院信息化工作办公室综合组副巡视员、信息产业部办公厅部长办公室副主任等职务。

从1980年起，高启全便在半导体及DRAM领域从业，先后在美国仙童半导体、英特尔等公司任职。1987年高启全加入台积电任一厂厂长，后创办旺宏电子，高启全还曾任台湾DRAM公司南亚科技总经理、华亚科技董事长等职务，是华人在全球DRAM界最资深的人士之一，有“台湾存储教父”之称。

“国之重器”

据中国证券报7月1日介绍，DRAM即动态随机存储芯片，它是主存储器（又可称为内存）的一种，区别于NAND Flash代表的外储存器（指除内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据）。

存储芯片种类（图片来自网络）

作为最常见的系统内存，DRAM具有高容量、大带宽、低功耗、短延时、低成本等特点，广泛用于PC、手机、服务器等领域，是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。而FLASH具有寿命长、体积小、功耗低、非易失性等特点和优势，广泛应用于消费电子、移动通信、网络通信、个人电脑、服务器等领域，主要用于代码存储和数据存储等，是近年来发展较快的存储器芯片产品。

在不少卖方研报中，DRAM被看作“国之重器”，其重要性不言而喻。然而，作为第一大DRAM消费市场，中国大陆却几乎没有自主产能。以2018年为例，根据智研咨询统计，中国集成电路进口额达到3120亿美元，其中存储芯片为1230亿美元（同比增长1188.99%），占集成电路进口总额的39%。

值得注意的是，受智能手机内存提升、大规模建设数据中心、物联网快速发展、汽车电子等下游需求的带动，2016年第二季度开始，存储器价格一路飙升，也让存储器在2017年成为集成电路最大细分领域。据WSTS数据，2017年全球存储器市场规模达到1240亿美元，同比增长61.5%，市场份额为30.1%。

不过，今年以来，受库存过高等因素影响，DRAM价格跌跌不休。根据集邦咨询半导体研究中心调查显示，2019年第一季度，DRAM合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%；第二季整季跌幅逼近25%；该机构近期正式下修第三季DRAM价格展望，跌幅由原先预估的10%，扩大至10%-15%。

价格下跌，令厂商态度保守，纷纷削减资本开支。集邦咨询指出，2019年DRAM产业用于生产的资本支出总金额约为180亿美元，较去年缩减约10%，为近年来最保守的投资水位。在DRAM寡头市场中，由于没有新进竞争者的威胁，各供应商选择透过调整产出，来避免削价竞争。

敢于亮剑

目前，韩国的三星和海力士，以及美国美光，这三家企业占据了全球90%以上的DRAM市场份额，呈现寡头竞争格局。可以期待的是，在存储芯片领域（IDM模式），国内三位探路者已经点燃了“星星之火”。

2016年，长江存储在NOR Flash晶圆制造商武汉新芯的基础上，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资组建而成，负责国家存储器基地项目（总投资约为240亿美元）的研发、建设和运营。长江存储于2017年研制成功中国第一颗3D NAND闪存芯片。2018年8月公开发布其突破性技术——XtackingTM。据中国证券报记者了解，尽管32层3D NAND已有小批量生产，但大批量生产并不在长江存储的计划之内，其瞄准的是与全球巨头缩小差距，尽快追上64层甚至128层的全球领先水平。

值得一提的是，2015年紫光集团试图以230亿美元收购美光，借此进入DRAM和三维闪存领域，但最终未能如愿。

2016年5月，长鑫存储在安徽合肥成立。2017年10月，主营产品包括NOR Flash的A股公司兆易创新发布公告，与合肥市产业投资控股有限公司签署合作协议，约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目，项目预算约为180亿元。今年5月15日，长鑫存储董事长朱一明表示，公司已累计投入25亿美元研发费用，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。