芯片丨三星电子将向其中国芯片工厂再投资80亿美元

12月13日消息，据国外媒体报道，三星电子将向其位于中国的芯片工厂增加80亿美元的投资，以提高NAND闪存芯片的产量。

此次投资正值内存芯片行业预计明年出现反弹之际，而今年该行业增长缓慢。这在很大程度上是由于供应不足以及市场对5G设备的需求增加。目前，世界各地都在测试5G网络。

这80亿美元的投资，是三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段投资。此前，在2017年，该公司宣布，计划在3年内向其位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。

该公司二期项目的总投资为150亿美元，预计于2021年下半年竣工，建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。

自2014年以来，三星一直在其位于西安的工厂生产NAND芯片。从技术层面来说，NAND芯片可永久保存数据，是许多计算和存储设备的一部分，可用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态硬盘。

此前，三星还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目的一期投资。

在NAND闪存领域，三星与包括韩国SK海力士（SK Hynix）、美光科技、西部数据、英特尔和东芝在内的竞争对手展开激烈竞争。（小狐狸）

（编辑：核心网）

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