爆料称三星计划使用14nm FinFET工艺制造1.44亿像素传感器

冰宇宙爆料称，三星计划使用14nm FinFET工艺制造1.44亿像素传感器。

冰宇宙曝出的图显示，手机CMOS图像传感器的市场趋势是递增的，传感器像素从小于1000万像素到大于1亿像素。三星希望在超过1亿像素密度的情况下使用14nm技术，辅以FinFET工艺还能有效降低传感器的功耗。

目前，暂无更多有关三星14nm FinFET工艺及1.44亿像素传感器的爆料消息。

（编辑：核心网）

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