英国研发新一代革命性内存：10ns延迟、功耗仅有1%

2020年美光三星等公司会推出新一代的DDR5内存，最高速率可达6400Mbps，将逐步取代DDR4内存。现在的DRAM内存技术还在升级，但是技术瓶颈也日趋明显，研究人员正在寻找新的内存替代技术，英国就找到了新方向——全新内存延迟可低至10ns，功耗仅有现在1%。

多年来人们一直在寻求完美的“内存”芯片，它既需要低延迟、高带宽，也要功耗低（不需要频繁刷新），同时还得容量大，成本低，更重要的是具备断电不损失数据的特性，可以说是NAND闪存及DRAM内存的完美体。

这么多要求，做起来可真不容易，Intel的傲腾内存是基于PCM相变内存技术的，在可靠性、延迟等问题上已经大幅领先现在的闪存，更接近DRAM内存芯片了，不过超越内存还达不到。

日前外媒报道称，英国的研究人员找到了一种新型的“内存”，它使用的是III-V族材料，主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝，用这些材料制成的NVDRAM非易失性内存具备优秀的特性，在同样的性能下开关能量低了100倍，也就是说功耗只有现有DRAM内存的1%，同时延迟可低至10ns。

总之，这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性——超低功耗、写入不破坏数据、非易失性，其性能相比现在的DRAM内存倒是没多大提升，10ns级别的延迟跟DDR4内存差不多，但是上面三条特性，尤其是非易失性就足够让“内存”革命了。

不过也没法高兴太早，英国研发人员现在只是找到了新一代III-V材料内存的理论方向，真正大规模制造这种内存还是没影的事，就像是像传了很久的MRAM、PCM、RRAM芯片一样。

（编辑：核心网）

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