第三代HBM2E显存公布：针脚带宽增加33%至3.2Gbps 三星首发

第三代HBM2的电压和上一版一致，为1.2V，比第一代的1.35V有所下降。

简单比较下，常见高端独显采用的256bit GDDR6，按照14Gbps的针脚带宽计算，总带宽448GB/s，也就是第三代HBM2一个堆栈的水平。

考虑到HBM2更容易扩充总线宽度，GDDR6过犹不及，况且单堆栈最大容量就能达到24GB，四堆栈直逼100GB。

图为HBM显存示意

事实上，3.2Gbps的第三代HBM2早先已经由三星和SK海力士提出，并更名为HBM2E，这种说法也得到了JEDEC默认。

在JESD235C标准发布的同时，三星宣布，名为Flashbolt（前两代名为Flarebolt和Aquabolt）的第三代HBM2（HBM2E）存储芯片将在上半年量产，单颗最大容量16GB，由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。

三星的第三代HBM2E甚至支持超频，单针脚可加速到4.2Gbps，单堆栈最大带宽从而升至538GB/s。

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（编辑：核心网）

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