美光将于本季度量产基于RG架构的128层3D NAND闪存

资料图（来自：Micron）

此外，作为美光长期技术演进计划的核心，该公司将用替换门（RG）技术来取代与英特尔合作时期使用了多年的传统浮栅技术。

美光拥有 RG 技术的完整设计，且希望本次技术转型能够减小管芯尺寸、降低成本、提高性能，以及更轻松地过渡到更多层的下一代节点。

尽管量产工作宜早不宜迟，但美光向也投资者指出，该公司不会在今年内全面转向基于 RG 架构的 3D NAND 技术，毕竟早期良率还有继续提升的空间。

美光称，其计划在 2020 Q4 财季（今夏）开始出货 128 层 RG 架构的 3D NAND 闪存产品。

首席执行官 Sanjay Mehrotra 补充道：“我们在向 RG 技术过渡方面取得了重大进展，预计到 2020 年末，它将成为公司 NAND 总供应量的重要组成部分”。

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（编辑：核心网）

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