全球首家：三星将量产1TB UFS 2.1闪存芯片，存取速度提到1GB/s

天字一号闪存企业三星电子今天（1月30日）宣布开始量产单芯片1TB容量的UFS存储产品，主力用于智能手机。

2017年11月，三星宣布量产单芯片容量512GB的eUFS闪存，去年，三星Galaxy Note 9就用上它。不过，由于S10系列2月20日就要发布了，从时间上判断，应该来不及用上刚出炉的1TB UFS，可能会选择和坚果R1类似的方式、即使用两片512GB。

三星计算后表示，1TB可存储260段10分钟长度的4K分辨率短视频，而64GB只能存储13段。

规格方面，芯片封装大小为11.5mm x 13mm，内部有16颗512Gb V-NAND（第五代）堆栈组成。

性能方面，支持UFS 2.1规范，连续读取速度最高1000MB/s、连续写入最高260MB/s、随机读取速度为58K IOPS、随机写入为50K IOPS。三星称，随机速度的提升有助于手机相机表现，比如拍摄960帧慢动作视频。

三星表示，将在位于Pyeongtaek（平泽市）的工厂加大512GB eUFS闪存芯片的产能，以满足2019年上半年市场的强烈需求。看来，三星Galaxy以及不少旗舰将开始大力推广512GB甚至1TB的机身存储容量了。

（编辑：核心网）

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