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疑似新iPhone设计图曝光:前置打孔双摄

发布时间:2019-04-02 16:59:36 所属栏目:移动互联 来源:王景山
导读:中关村在线消息:4月2日,按照惯例,今年秋季苹果就会发布新一代的iPhone手机(2019款),有可能命名为iPhone XI,但现在iPhone XI还没发,爆料达人Ben Geskin就在Twitter上放出了iPhone XIS手机(2020款)的设计图。 此前疑似iPhone XI内部设计原理图也已

中关村在线消息:4月2日,按照惯例,今年秋季苹果就会发布新一代的iPhone手机(2019款),有可能命名为iPhone XI,,但现在iPhone XI还没发, 爆料达人Ben Geskin就在Twitter上放出了iPhone XIS手机(2020款)的设计图。

此前疑似iPhone XI内部设计原理图也已经被曝光,图上显示iPhone XI整个镜头组最左侧为1400万像素的主摄和1000万像素的长焦镜头,靠右侧的则可能为闪光灯、广角镜头和ToF镜头呈纵向排列。

疑似新iPhone设计图曝光:前置打孔双摄
疑似新iPhone内部设计原理图

而此次曝光的iPhone XIS设计图对比iPhone XI,后置镜机组布局又有变化,闪光灯放置到三镜头中间,右下角为TOF镜头。值得注意的是iPhone XIS设计图的正面,其前置位于屏幕左上角,采用横排打孔双摄像头,有点类似三星S10+的前置。疑似新iPhone设计图曝光:前置打孔双摄

iPhone XIS手机(2020款)设计图

至于这个设计图是真是假,在iPhone XI还没发布的情况下,iPhone XIS设计图的真实性可想而知了,可能苹果自己都不知道iPhone XIS是什么样子的。

(文中图片来自网络)

(编辑:核心网)

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