三星完成5纳米EUV工艺研发：功耗降低20%

中关村在线消息：4月16日，三星在官方网站宣布目前三星电子已经成功完成5nm EUV开发，将能实现芯片的更大面积扩展并带来超低功耗。

三星

三星电子表示其5nm（纳米）FinFET工艺技术的开发已完成，并能给客户提供样品。与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高25%，性能提高10%，功耗降低20%，能够带来更多创新的标准单元架构。

三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae表示“成功完成5nm开发，已证明了我们在基于EUV的节点中的能力，我们将努力加速基于EUV技术的批量生产。”

三星在2018年10月就宣布准备并初步生产采用EUV光刻技术的7nm工艺，三星目前已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品，在今年年初将开始量产7nm工艺。

（文中图片来自互联网）

（编辑：核心网）

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