iPhone 8：3D NAND闪存芯片不足 求助对手三星

　　今天的最新动态，有外媒爆料，距离备受期待的iPhone 8的登陆时间越来越近了，，然而新iPhone所需的3D NAND闪存芯片却因产能不足而陷入了供应不足的困境，为此苹果不得不向三星求援，希望三星能提供3D NAND闪存芯片。

　　按惯例，iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8在内的新品在今秋就会发布，但就在这个节骨眼上，为苹果今年的新iPhone提供3D NAND闪存芯片的供应商却产能不足，无法提供足够的3D NAND闪存芯片。

　　此前为苹果提供3D NAND闪存芯片的是日本东芝和韩国海力士，但让苹果始料未及的是，这两家公司的3D NAND闪存芯片产量比预期的低了30%，导致即将发布的iPhone在3D NAND闪存芯片上面临缺货的尴尬。

　　消息人士透露，为了避免3D NAND闪存芯片供应不足影响今年新iPhone的供应，苹果已将目光转向三星，希望三星能为其提供3D NAND闪存芯片。

　　这名消息人士还透露，三星的3D NAND闪存芯片技术目前比较成熟，产量也很稳定，能为苹果大规模供应。

　　3D NAND闪存芯片数据存储密度高，同此前的闪存芯片相比，相同的存储空间能存储更多的数据，苹果在2016年开始在移动设备中采用3D NAND闪存芯片。

（编辑：核心网）

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