三星宣布量产1TB eUFS闪存 速度容量双提升

　　数码设备的发展离不开存储技术的进步，而数码设备的进步反过来又会促使存储技术不断前行。尤其是在容量方面，随着游戏、视频、照片等文件的容量越来越大，用户亟需更大容量的存储来存放更多的文件，因此在不断增大容量的基础上，如何做到合理的成本控制就显得尤为重要了。

　　近日，三星在其官网上宣布量产业界首款容量高达 1TB 的“嵌入式通用闪存存储器”（eUFS 2.1），该产品基于第五代V-NAND技术打造，速度是常规MicroSD卡的10倍，非常适合数据密集型应用需求。

　　三星在四年前推出了业界首个128GB的eUFS解决方案，满足近年来智能手机用户的存储需求，不过现在，智能手机领域的存储已经逐渐向TB级别迈进。而1TB eUFS 2.1将在推动下一代移动设备的发展上起到关键的作用。

　　据悉，在相同的封装尺寸（11.5×13.0 m㎡）内，1TB eUFS 2.1较先前的512GB版本容量提升了一倍、堆叠了16层三星最先进的512Gb V-NAND闪存和新的专属控制器。

　　以下是1TB eUFS 2.1存储的性能测试：

　　从测试数据可以看出，1TB eUFS在读取速度上的表现也非常不错。三星计划于2019上半年在韩国Pyeongtaek工厂扩大第五代512Gb V-NAND的产量，以满足全球移动设备制造商对1TB eUFS的强劲需求。

（编辑：核心网）

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