中芯国际已量产14nm工艺 计划年底前试产12nm

　　有媒体援引知情人士的话称，中芯国际（SMIC）已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产，且计划年底前进行12nm FinFET的风险试产。

　　据悉，本周发布Q3季度财报时，中芯国际对于先进制程表示，第一代FinFET已成功量产，四季度将贡献有意义的营收；第二代FinFET研发稳步推进，客户导入进展顺利。

　　据了解，12nm工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%，性能提升10%，错误率降低20%。

（编辑：核心网）

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