发力DRAM！合肥长鑫存储与美国半导体公司签署专利许可协议
发布时间：2020-05-04 20:31:24 所属栏目：创业 来源：站长网
导读：5月4日消息据合肥市人民政府官方微信公众号援引安徽日报消息，合肥长鑫存储技术有限公司已同美国半导体公司蓝铂世签署专利许可协议，前者将获得大量动态随机存取存储（DRAM）技术专利的实施许可。 据悉，去年投产的长鑫存储，是我国第一家投入量产的DRAM芯
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5月4日消息 据合肥市人民政府官方微信公众号援引安徽日报消息，合肥长鑫存储技术有限公司已同美国半导体公司蓝铂世签署专利许可协议，前者将获得大量动态随机存取存储（DRAM）技术专利的实施许可。
据悉，去年投产的长鑫存储，是我国第一家投入量产的DRAM芯片设计制造一体化企业。 （编辑：核心网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
