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站在“新基建”浪潮上的第三代半导体产业 (下)

发布时间:2020-05-14 13:38:23 所属栏目:业界 来源:站长网
导读:副标题#e# 本文为祥峰投资对第三代半导体产业研究内容,其中包含了各材料性能对比与材料应用范围,方便从底层了解半导体产业发展,系列文章较长,建议收藏阅读。本文为上篇,上篇请点击:第三代半导体产业(上) 在上一期的“站在‘新基建’浪潮上的第三代

消费电子产品的电源芯片、新能源车的电源芯片是GaN功率芯片最可能快速增长的领域。目前GaN芯片成本较高导致充电器价格仍然较高,以配件销售为主,未来2-3年随着价格下降,预装机会很大。在新能源车领域,在3-5年内GaN功率器件有机会替代传统Si-IGBT,但同时面临与SiC功率器件的竞争。

SiC的机会与市场空间

SiC器件的主要机会来自新能源车、高压高温电力电子等领域。从产品来看,SiC SBD二极管和SiC MOSFET将成为应用最多的产品,前者广泛用于各种电源,后者用于替代Si IGBT。

2017 年全球SiC功率器件市场3.99亿美元。预计到 2023年市场总额将达 16.44亿美元,年复合增长率 26.6%。新能源汽车的电源管理是SiC功率器件的主要增长驱动因素。

由于材料体系类似,国内有不少传统Si器件的公司例如比亚迪、斯达半导体等,也纷纷进入SiC功率器件市场,相信未来还会有更多企业进入,竞争格局更加复杂。


(编辑:核心网)

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