站在“新基建”浪潮上的第三代半导体产业 （下）

芯片设计与制造方面，国内600-3300VSiC-SBD已开始批量应用，有企业研发出1200V/50ASiC-MOSFET；泰科天润已建成国内第一条SiC器件生产线，SBD产品覆盖600V-3300V的电压范围；中车时代电气的6英寸SiC生产线也于2018年1月首批芯片试制成功。

第三代半导体的总体总结

第三代半导体率先大规模商业化的是GaN和SiC。由于衬底材料制备、外延等技术仍然不够成熟，分立器件产品阶段处于规模商用初期，集成电路产品阶段处于探索期。

第三代半导体与第一代、第二代半导体是补充和部分替代的关系。在高电压、大电流、高频、高温等应用中，第三代半导体有明显的性能优势，一方面可用于硅基器件无法胜任的对性能要求更加极端的工况条件，另一方面也可以降低系统的整体能耗、尺寸或重量，因而存在替代部分硅基器件的机会，关键看系统的性能指标要求，以及性价比。

第三代半导体目前应用市场规模有限，未来市场增速可期。

GaN的机会与市场空间

GaN射频器件全球市场预计到2024年成长至20亿美元。主要的市场增长来自军用和5G通信。GaN将在5G基站的射频芯片替换Si-LDMOS。5G将推动该市场在2024年达到7.5亿美元。

GaN功率器件的增长来自电源管理、新能源车、LiDAR、封包追踪等应用。2016年GaN功率器件全球市场规模仅1200万美元，目前不到1亿美元，预计到2022年将增长到4.6亿美元。

（编辑：核心网）

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