站在“新基建”浪潮上的第三代半导体产业 （下）

Infineon公司于1999年从西门子集团的半导体部门独立出来，在德国慕尼黑正式成立，2000年上市，是全球领先的半导体公司之一。公司为有线和无线通信、汽车及工业电子、内存、计算机安全以及芯片卡市场提供先进的半导体产品及完整的系统解决方案。

公司2018年营收达到75.99亿欧元，毛利率40%，净利润17.8%，同比增长10.7%，其中功率器件占比约68%、传感器和射频器件占比15%、嵌入式控制器占比约17%。

Infineon是电源器件尤其是功率半导体的全球领导者（infineon在2019年全球功率半导体市场占比19%排名第一，细分IGBT、MOSFET市场更是占比达27%和28%），也是市场上唯一一家提供覆盖硅、碳化硅和氮化镓等材料的全系列功率产品的公司，拥有高性价比的第七代CoolMOSTM、基于第三代宽禁带半导体的高性能CoolSiCTM与 CoolGaNTM，公司主做6英寸SiC和GaN产线，8英寸GaN产线在准备中，GaN和SiC产能占比约10%（Si占90%），但在GaN和SiC产品上依然面临提升良率、可靠性、降成本等挑战。

全球SiC器件产业链主要公司

SiC厂商以全产业链的IDM巨头为主。全球大部分市场份额被Infineon、Cree、罗姆、意法半导体等少数企业瓜分。

Cree占据衬底市场约40%份额、器件市场约23%份额；Cree和Infineon共占器件市场的70%。

全球SiC器件产业链主要公司：Cree (Wolfspeed)

Cree科锐成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克）。当前市值48亿美元。

Cree在早期以LED材料与元件起家，其核心优势是全球领先且不断创新的SiC材料技术。晶型由6H扩展到4H；电阻率由低阻到半绝缘；尺寸由2寸到6寸。公司近年来开始谋求向功率和射频器件进行转型。

Cree旗下子公司Wolfspeed是全球最领先的碳化硅晶圆和外延晶圆制造商，完整覆盖从SiC衬底、外延，到SiC肖特基二极管、SiC MOSFET 元件以及模块的全产业链， 在市场占据主导地位 。Cree的SiC衬底占据了全球市场近40%份额 ，在SiC器件领域的市场份额达到62%。（Yole2019报告）

在GaN射频器件市场，Wolfspeed市场份额位居第二，具备十年以上的GaN HEMT 生产经验，出货量超过1500万只。

Wolfspeed同时提供GaN-on-SiC代工服务，改变了行业传统的IDM模式。

2016年Infineon曾试图收购Wolfspeed， 但被美国政府以危害国家安全为由予以否决。

2019年1月，Cree宣布与意法半导体签署了一份多年供货协议 ，为意法半导体供应SiC衬底和外延晶圆 ，总价值达到2.5亿美元。该合作将加速SiC在汽车和工业两大市场的商用。

全球SiC器件产业链主要公司：Infineon

Infineon是市场上唯一一家提供涵盖Si、SiC和GaN等材料的全系列功率产品的公司，开发的CoolSiC技术具备非常大的潜力。

Infineon于1992年开始SiC领域研发，2001推出全球首个商业化SiC二极管，2006年推出全球首个采用SiC组件的商用电源模块，目前已经已经发展至第五代。

（编辑：核心网）

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