砥砺前行 华微电子助力“中国芯”

据悉，华微电子在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利及工艺诀窍，尤其在IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等方面拥有独特的核心技术在国内领先，达到国际同行业先进水平。多位业内人士表示，经历了半个多世纪的技术积累，华微电子有望成为功率半导体器件替代进口的有力竞争者。

上述华微电子负责人表示，未来，华微电子将继续把握国产替代趋势，进一步加大研发投入，将重点在IGBT、超结MOS和中低压MOS这些硅基器件上继续升级现有的工艺平台，同时加快8英寸生产线建设，开发第五代沟槽FSIGBT、第二代超结MOSFET和第二代CCT中低压MOSFET;同时，还将开发和布局第三代半导体，目前华微电子已开发出SiC二极管样品，下一步将进行GaNHEMT器件的开发工作，助力打造“中国芯”。

整体来看，我国半导体产业国产替代空间广阔。华创证券在研报中指出，中美科技对抗的常态化使得半导体的战略意义不断提高，随着政府扶持力度的加大以及产业和金融资本的加速流入，半导体全产业链有望进入新一轮黄金发展期。

（编辑：核心网）

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