方寸之困：纳米级芯片通关路
发布时间：2020-05-10 19:29:29 所属栏目：业界 来源：脑极体 内有隐忧，外有威胁，仍然是困扰我国芯片产业的现实写照
导读：副标题#e# 来源：脑极体 内有隐忧，外有威胁，仍然是困扰我国芯片产业的现实写照。 每当我国自研芯片的技术出现一些成果，就会看到一些网络媒体使用 " 突破欧美封锁 "、" 中国弯道超车 " 的报道出来。 近日，我国的中微半导体在两年前实现的 5nm 蚀刻机技术
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典型的 GAA 晶体管是纳米柱，直径才 1nm 大小，但是沟道需要尽可能宽地允许大量电流通过，所以三星把这几根纳米柱改成面积大的纳米片，被称为 MBCFET 晶体管（多桥通道场效应晶体管）。这是三星的专利设计，MBCFE 通过将线形通道结构与二维纳米片对齐，增加了与栅极接触的面积，从而实现更简单的器件集成以及增加电流，再次实现了功耗降低与性能提升的双向升级。
我们看到，随着晶体管微缩到只有几个原子厚的尺寸，晶体管制程迅速接近物理极限，相比较于摩尔定律的预计，晶体管密度的增长已经开始放缓。 （编辑：核心网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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