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中国芯片制造迈出一大步!中科院造出最强紫外超分辨光刻机

发布时间:2018-12-04 06:09:34 所属栏目:移动互联 来源:问耕 乾明 郭一璞 晓查
导读:我国在芯片制造领域取得新突破! 经过近七年艰苦攻关,超分辨光刻装备研制项目通过验收。这意味着,现在中国有了世界上首台分辨力最高的紫外(即 22 纳米@365 纳米)超分辨光刻装备。 换句话说,我国科学家研制成功了一种非常强大的光刻机。 光刻机,那可是
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中国芯片制造迈出一大步!中科院造出最强紫外超分辨光刻机

我国在芯片制造领域取得新突破!

经过近七年艰苦攻关,“超分辨光刻装备研制”项目通过验收。这意味着,现在中国有了“世界上首台分辨力最高的紫外(即 22 纳米@365 纳米)超分辨光刻装备”。

换句话说,我国科学家研制成功了一种非常强大的光刻机。

光刻机,那可是芯片制造的核心装备。我国一直在芯片行业受制于人,在光刻机领域更是如此,时常遭遇国外掐脖子、禁售等种种制约。

对于这次的突破,验收专家组的意见是:

该光刻机在 365 纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到 22 纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国外相关知识产权壁垒。

中国芯片制造迈出一大步!中科院造出最强紫外超分辨光刻机

消息一出,很多人都纷纷称赞,但大多数都是不明觉厉,当然也有人说是吹牛。这个消息背后,到底意味着什么呢?

这个突破亮点很多,其中最值得关注的有几个点,量子位简单总结如下:

光源:粗刀刻细线

这个国产的光刻机,采用365 纳米波长光源,属于近紫外的范围。

通常情况下,为了追求更小的纳米工艺,光刻机厂商的解决方案是,使用波长越来越短的光源。ASML 就是这种思路。

现在国外使用最广泛的光刻机的光源为193 纳米波长深紫外激光,光刻分辨力只有 38 纳米,约 0.27 倍曝光波长。

中国芯片制造迈出一大步!中科院造出最强紫外超分辨光刻机

这台国产光刻机,可以做到 22 纳米。而且,“结合双重曝光技术后,未来还可用于制造 10 纳米级别的芯片”。

也就是说,中科院光电所研发的这台光刻机,用波长更长(近紫外)、成本更低(汞灯)的光源,实现了更高的光刻分辨力(0.06 倍曝光波长)。

项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松在接受《中国科学报》采访时,打了一个比方:“这相当于我们用很粗的刀,刻出一条很细的线。”这就是所谓的突破分辨力衍射极限。

因此,它也被称为世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备。

中国芯片制造迈出一大步!中科院造出最强紫外超分辨光刻机

成本:高端设备“白菜价”

波长越短,成本越高。

为获得更高分辨力,传统上采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机,但问题在于不仅技术难度极高,装备成本也极高。

ASML 最新的第五代光刻机使用波长更短的 13.5 纳米极紫外光(EUV),用于实现 14 纳米、10 纳米、及 7 纳米制程的芯片生产。

一台这样的光刻机售价 1 亿美元以上。

而中科院光电所这台设备,使用波长更长、更普通的紫外光,意味着国产光刻机使用低成本光源,实现了更高分辨力的光刻。

有网友评价称,中国造的光刻机说不定和其他被中国攻克的高科技设备一样,以后也成了白菜价。

中国芯片制造迈出一大步!中科院造出最强紫外超分辨光刻机

突破:破局禁运,弯道超车

这台光刻机的出现,还有另一个重要的意义。

这里我们引用央广的报道:

超分辨光刻装备项目的顺利实施,打破了国外在高端光刻装备领域的垄断,为纳米光学加工提供了全新的解决途径,也为新一代信息技术、新材料、生物医疗等先进战略技术领域,基础前沿和国防安全提供了核心技术保障。

项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松介绍:“第一个首先表现于我们现在的水平和国际上已经可以达到持一致的水平。分辨率的指标实际上也是属于国外禁运的一个指标,我们这项目出来之后对打破禁运有很大的帮助。”

“第二个如果国外禁运我们也不用怕,因为我们这个技术再走下去,我们认为可以有保证。在芯片未来发展、下一代光机电集成芯片或者我们说的广义芯片(研制领域),有可能弯道超车走在更前面。”

中国芯片制造迈出一大步!中科院造出最强紫外超分辨光刻机

局限

当然,我们也不能头脑发热。

这个设备的出现,并不意味着我国的芯片制造立刻就能突飞猛进。一方面,芯片制造是一个庞大的产业生态,另一方面中科院光电所的光刻机还有一定的局限。

据介绍,目前这个装备已制备出一系列纳米功能器件,包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等,验证了该装备纳米功能器件加工能力,已达到实用化水平。

中国芯片制造迈出一大步!中科院造出最强紫外超分辨光刻机

也就是说,目前主要是一些光学等领域的器件。

不过也有知乎网友表示“以目前的技术能力,只能做周期的线条和点阵,是无法制作复杂的 IC 需要的图形的”。

这一技术被指“在短期内是无法应用于 IC 制造领域的,是无法撼动 ASML 在 IC 制造领域分毫的……但形成了一定的威胁,长期还是有可能取得更重要的突破的。”

中国光刻机制造落后现状

目前国际上生产光刻机的主要厂商有荷兰的 ASML、日本的尼康、佳能。其中,数 ASML 技术最为先进。

国内也有生产光刻机的公司,比如上海微电子装备,但技术水平远远落后于 ASML。

上海微电子装备目前生产的光刻机仅能加工 90 纳米工艺制程芯片,这已经是国产光刻机最高水平。而 ASML 已经量产 7 纳米制程 EUV 光刻机,至少存在着十几年的技术差距。

光刻机是制造芯片的核心装备,过去一直是中国的技术弱项。光刻机的水平严重制约着中国芯片技术的发展。我们一直在被“卡脖子”。

(编辑:核心网)

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